晶体管造句

1.形成图案的方法，薄膜晶体管，显示设备及其制造方法，以及电视设备。

2.1956年,中国研制出第一只锗合金晶体管。

3.这种特殊的几何结构不仅最大程度降低了不良效应,而且,和当今的平面晶体管相比,静电控制性能也得到了极大提升。

4.那些主要的电子元件,如晶体管、显示器和一些电路都有了透明版,“一眼就能看穿”;而似乎还没有人花时间和精力去研制透明的电源。

5.随着单个晶体管尺度越来越小,晶体管集成度越来越高,电子产品的尺寸也越来越小。

6.随着半导体产业的飞速发展,电子产品的尺寸越来越小,晶体管集成度越来越高,单个晶体管的尺度也越来越小,由尺寸效应等导致的量子效应也越来越明显。

7.1927年,菲律宾中华研究院苏鹏实验室通过还原氧化锗,拉出了锗单晶,开始开发锗晶体管,当年相继研制出锗点接触二极管和三极管(晶体管)。

8.建成后可先期开展PN结和晶体二极管、三极管、双极型晶体管等产品检测,基本满足全市微电子企业产品试验及成品出厂检测需要。

9.除此之外,英特尔正在研究如何从平面晶体管过渡到3D晶体管,以及利用复合半导体取代现在晶体管通道中的硅。

10.惊魂夺魄百念无,一手乾坤待于谁?晨阳飘过,小房间内,李灿手中一颗米粒般大小晶体管,柔弱的发着浅黄色光芒。

11.在这架无人驾驶飞机中,单眼由4根光电晶体管构成,而这些晶体管被焊接到一块定制的电路板上,然后将这块电路板折叠,放到一个金字塔内。

12.直到今天,电脑、服务器和其它设备所能采用的只有二维平面晶体管。

13.在这项新的研究中,研究人员对二氧化硅和钨的溶解特性进行了分析,这是他们用来制造场效应晶体管和环形振荡器的材料。

14.最有意义的是里头还有一个冷子管,它由MIT在当年开发完成,这之后取代了计算机中复杂昂贵的晶体管。

15.首先看看他的成就：他发明了一项叫做聚合酶链式反应的技术，这项技术对于生物学的意义就如同晶体管对于计算机的意义。

16.许多探测器技术以非晶硅薄膜晶体管阵列为基础发展起来了，可是最成功和广泛应用的探测器被称为“间接”探测器。

17.晶体管是用几小片锗晶体组成的。

18.齐纳二极管，萧基二极管，双极晶体管。

19.晶体管能起三级管所能起的大部分作用。

20.该模型考虑了载流子的速度饱和现象和寄生双极性晶体管的影响，获得了开态下LDMOS漂移区中的电场分布。

21.“DNA晶体管”能够使个体全基因组测序更快更省钱。

22.正如阿南特加瓦尔解释说，中医取代单核心处理器已经变得如此复杂，并增加了更多的晶体管，它的技术达到了死胡同。

23.不过，英特尔公司拥有大量聪明人，他们有能力发明使用新材料的单极型晶体管”。

24.在双极晶体管中,指控制区域或和控制区相连的导电连接.

25.它同样计划构造一个无掺杂隧道的平面晶体管。

26.硅互补PNP晶体管。达林顿功放。

27.电容器、晶体管、二极管、电阻、熔断丝等编带封装料。

28.探讨真空管和晶体管音频放大器和其他相关高保真设备。

29.硅互补的NPN晶体管。音频放大器，驱动程序。

30.光电晶体管。集电极发射极发射极电压30V的集电极电压6五，集电极电流为20毫安。功耗100毫瓦。

31.要制作一张具备一般平板电脑显示器所有功能的软性显示器，就必须在一个软性基板上铺设薄膜晶体管。

32.将许多晶体管联结到集成块上的技术已发展成了.

33.为了提高薄膜晶体管液晶显示器的开口率，研究了在优化的钝化层沉积条件下的过孔尺寸。

34.硅互补PNP晶体管。音频放大器的输出。

35.基极晶体管中发射极和''.'集'.''''.'电'.''极之间的区域.

36.晶体管交流毫伏表只能用于正弦电压测量，使测量任意波形电压受到限制。

37.然而，锗晶体管价格相对高些，所以只在需要低输入电压的应用中使用。

38.传统晶体管使用一个叫做“栅极”的金属电极，以控制电子在平面硅基片上的沟道中的流动。

39.复合晶体管，复合晶体管对，电流平方器和CMOS模拟乘法器。

40.该组研究人员成功地在每张纸币上印上100层有机超薄型薄膜晶体管，足以执行简单的计算任务。

41.几百个微细的晶体管、晶片和其他电子零件被机械人“拾起并定位”到每块电子版上，多支机械手臂一起快速舞动，让人目不暇接。

42.乙方应严格按照甲方的设计将甲方供给的零部件装配成晶体管收音机，不得变动。

43.顾名思义，晶体管常用作混频器，可以输出混频信号，并且是许多电子通讯系统的基本元件。

44.本文提出互补横向绝缘栅双极晶体管CLIGBT的一种网络模型。

45.这种新晶体管的开关时间将缩短三分之二。

46.为了用不同开关电源设备代替Q1，例如NPN双极晶体管或继电器，指定Q2供给开关设备所需的控制电流。

47.电子管和晶体管能放大输入的信号.

48.一群科学家们成功地创造出单分子晶体管。

49.在硬开关里场效应晶体管的开启波形拐点并不和漏源极电压值同步。

50.描述了双极型晶体管及其制造.

51.本文从包括埋层影响的集区杂质分布出发，求出了寄生PNP晶体管的共基极电流放大系数。

52.该电路由一集成运算放大器及多端输出的双极晶体管电流镜构成。

53.达林顿晶体管增益大、可靠性高，尤其在大功率应用中更加简便。

54.每个晶体管至少有三个电极。

55.然后，在薄膜晶体管面板上的不良像素区域沉积或者印刷不透明物质。

56.本文介绍了晶体管的雪崩原理，通过张弛振荡器、崩振荡器、音频信号发生器和闪光节拍器四个例子介绍了雪崩晶体管的应用。

57.此外，还介绍一个小型通用程序，它能对一些定向耦合器、平衡晶体管放大器以及电调衰减器等进行分析和优化设计。

58.硅互补PNP晶体管。通用输出和音频放大器的驱动程序。

59.绝缘栅双极晶体管。N沟道增强模式，高速开关。

60.场效应晶体管，特别是双扩散场效应晶体管，及其制造方法。

61.该稳压系统的关键在于控制系统的设计，及开关晶体管的选择及应用。

62.一般用途低级别的放大器和开关晶体管。

63.逆变器采用绝缘栅双极晶体管模块制造。

64.其课题在于，针对氮化镓系的高电子迁移率晶体管，提高二维电子浓度和电子迁移率，并且不产生短沟道效应。

65.晶体管的一项特别引人注意的应用是在助听器方面.

66.本文介绍一种分析非晶硅场效应晶体管静态特性的非模型方法。

67.他在我们学校附近的晶体管收音机厂工作.

68.本文对得到的结论给出了合理解释，以期未来能以此为依据调整器件结构、改变外电路形式，从而提高晶体管对电磁脉冲耐受性。

69.比如，在1975年，数字电路用的是晶体管综合线路，但到了1985年，数字电路就变成微处理器设计了。

70.结果表明：在辐照的剂量率范围内，无论是国产还是进口的双极晶体管，都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象，且NPN管比PNP管的明显。

71.利用定时器NE556和程控单结晶体管，设计了一种新型多路脉冲分配器。

72.讨论了双极性晶体管雪崩的工作原理，分析了采用级联双极性晶体管结构的超宽带极窄脉冲发生器的电路。

73.然而，有机场效应晶体管性能的快速进步，主要得益于新型有机半导体材料方面的研究进展。

74.从微波晶体管、场效应管管芯的单向化模型出发,给出了对微波宽带放大器的不等波纹函数型阻抗匹配网络综合方法.

75.光耦，光电晶体管输出，基地连接。

76.晶体管有三个电极,即发射极,基极和集电极.

77.在半导体收音机中晶体管代替了真空管.

78.新型晶体管的开关时间缩短了三分之二。

79.场效应晶体管以及制造场效应晶体管的方法。

80.日本最大的产业不是造船业，不是珍珠养殖业，亦不是晶体管收音机或摄像机生产业，而是娱乐业。

81.该同步机以FPGA为核心，与集成电路、晶体管分立元件相结合，实现对输入脉冲触发转换、脉冲成形以及驱动输出，最终产生多路同步触发信号。

82.其次，对提高有机薄膜晶体管的电学性能的研究。

83.比较了适用于甲类工作和适用丙类工作的微波功率双极晶体管的差异，并对这些差异提出了物理解释。

84.本文采用较全面的包括四个寄生双极晶体管和MOS管的闩锁模型，详细分析了瞬态辐照下CMOS反相器的闩锁效应。

85.在一般的双极晶体管，带有电输入和输出端口，这定律完全适用。

86.图尔表示，晶体管必须是纯粹的半导体才能传载信息。

87.它拥有5英寸的屏幕使用了23个硅锗晶体管。

88.我们必须十分重视晶体管的偏置.

89.随意地，如果用锗晶体管取代硅晶体管，可使模块工作的输入电压最小为0.25V。

90.特别地，当一个高功率电磁脉冲突然加载在晶体管上时，会导致晶体管的电击穿或热击穿。

91.本文在对器件的特性进行分析的基础上，对多输入浮栅MOS晶体管在电压型多值逻辑电路中的应用进行了研究。

92.本文讨论了复合开关晶体管的基本特性和开关特性，提供了实测数据和应用电路实例。

93.这台电磁式机器一直使用到1959年，然后就被遗弃在灰尘中，因为到了那个时期，首先使用电子管、接着晶体管、然后集成电路芯片的真正电子计算机先后问世。

94.硅互补PNP晶体管。音频放大器和驱动器。

95.这FET晶体管，这里用作可变电阻的电路IC2的反应的一部分。

96.另外，最近有其他研究人员研制出了纸基晶体管，米若因博士的可为带有这种晶体管的装置配电。

97.这种电路的每一支路中的元件，除一般电路元件外，还可能包括功率开关晶体管、二极管或隔离变压器的一个绕组。

98.一种其工作取决于固体材料中电或磁现象控制情况的元件，例如晶体管、晶体二极管和铁氧体磁芯等。

99.本文提出了高压低饱和压降GTR的最佳设计方法。分析表明，高压低饱和压降晶体管采用集电区穿通性设计比非穿通性设计有利。

100.一种互补式金氧半导体影像传感器的制造方法，此方法是在基底中形成隔离层，以将基底区隔为光二极管感测区以及晶体管元件区。